參數(shù)資料
型號： APTCV60TLM991G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-32
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： APTCV60TLM991G
APTCV60TLM991G
APT
C
V60T
LM
991G
–
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
2- 8
Q1 & Q4 Absolute maximum ratings
Q1 & Q4 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
50
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS = 0V
VDS = 600V
Tj = 125°C
100
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 18A
99
m
Ω
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 1.2 mA
2.5
3
3.5
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±20 V, VDS = 0V
100
nA
Q1 & Q4 Dynamic Characteristics
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
2800
Coss
Output Capacitance
VGS = 0V ; VDS = 100V
f = 1MHz
130
pF
Qg
Total gate Charge
14
Qgs
Gate – Source Charge
20
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 400V
ID = 18A
60
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
10
Tr
Rise Time
5
Td(off)
Turn-off Delay Time
60
Tf
Fall Time
VGS = 10V
VBus = 400V
ID = 18A
RG = 3.3
5
ns
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.15
°C/W
Q2 & Q3 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
50
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
30
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
60
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
90
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
60A @ 550V
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
22
ID
Continuous Drain Current
Tc = 80°C
17
IDM
Pulsed Drain current
75
A
VGS
Gate - Source Voltage
±20
V
RDSon
Drain - Source ON Resistance
99
m
Ω
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
110
W
IAR
Avalanche current (repetitive and non repetitive)
11
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
1.2
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
800
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF100A120T3WG 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DA120T1G 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF150DA120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTD1608CGCK 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 封裝 / 箱體:0402 LED 大小:1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm 照明顏色:Red 波長/色溫:631 nm 透鏡顏色/類型:Water Clear 正向電流:30 mA 正向電壓:2 V 光強(qiáng)度:54 mcd 顯示角:130 deg 系列:VLMx1500 封裝:Reel
APTD1608LCGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR 2SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:綠色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:8mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:60° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTD1608LQBC/D 功能描述:LED BLUE CLEAR SMD 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 顏色:藍(lán)色 透鏡顏色:無色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級:20mcd 透鏡樣式/尺寸:圓形，帶圓頂，0.70mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.65V 電流 - 測試:2mA 視角:40° 安裝類型:表面貼裝 波長 - 主:465nm 波長 - 峰值:460nm 特性:- 封裝/外殼:0603（1608 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1608 大小/尺寸:1.60mm 長 x 0.80mm 寬 高度（最大值）:1.05mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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