參數(shù)資料
型號： APTGF100DA120T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 276K
代理商： APTGF100DA120T1G
APTGF100DA120T1G
APTG
F100DA
120
T
1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
1 – 5
3
4
Q2
CR2
2
1
9
NTC
12
CR1
6
5
11
10
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
130*
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
100*
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
200
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
735
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
200A @ 1150V
Specification of IGBT device but output current must be limited to 75A to not exceed a delta of temperature greater
than 30°C for the connectors.
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Boost chopper
NPT IGBT Power Module
VCES = 1200V
IC = 100A* @ Tc = 80°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150DA120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150DA120T 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150X60E3 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150X60E3 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150X60E3G 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF100DU120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
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APTGF100SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF100SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 135A 568W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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