參數(shù)資料
型號(hào)： APT8GT60KR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的迅雷是IGBT的高壓電源IGBT的新一代。
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： APT8GT60KR
0
EUROPE
Avenue J.F. Kennedy Bat B4 Parc Cadéra Nord
USA
405 S.W. Columbia Street
F-33700 Merignac - France
Phone: (33) 5 5792 1515
FAX: (33) 5 5647 9761
Bend, Oregon 97702-1035
Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
APT8GT60KR
PRELIMINARY
C
ies
C
oes
C
res
8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT94N60L2C3 Super Junction MOSFET
APTC60AM18SC Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module
APTC60AM35SCT Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DAM18CTG Boost chopper SiC FWD diode Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM35T3 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT8GT60KRG 功能描述:IGBT 600V 16A 69W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8M100B_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M100S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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