參數(shù)資料
型號(hào)： APT8GT60KR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的迅雷是IGBT的高壓電源IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： APT8GT60KR
Symbol
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
ts
gfe
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APT8GT60KR
UNIT
°
C/W
lbin
MIN
TYP
MAX
1.8
80
10
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Mounting Torque using a 6-32 or 3mm Binding Head Machine Screw
Symbol
R
Θ
JC
R
Θ
JA
Torque
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy
Turn-off Switching Energy
Total Switching Losses
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses
Forward Transconductance
Test Conditions
Capacitance
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.66V
CES
I
C
= I
C2
Resistive Switching (25
°
C)
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.66V
CES
I
C
= I
C2
R
G
= 50
Inductive Switching (150
°
C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 50
T
J
= +150
°
C
Inductive Switching (25
°
C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 50
T
J
= +25
°
C
V
CE
= 20V, I
C
= I
C2
MIN
TYP
MAX
355
44
23
32
15
3
7
11
40
90
11
5
100
70
0.05
0.22
0.27
11
5
80
45
0.20
1.2
4.3
UNIT
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
S
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
I
C
= I
C2
,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25
,
L = 500
μ
H, T
j
= 25
°
C
3
See MIL-STD-750 Method 3471
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT94N60L2C3 Super Junction MOSFET
APTC60AM18SC Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module
APTC60AM35SCT Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DAM18CTG Boost chopper SiC FWD diode Super Junction MOSFET Power Module
APTC60DDAM35T3 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT8GT60KRG 功能描述:IGBT 600V 16A 69W TO220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8M100B_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M100S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT8M80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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