參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60B2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： APT80GP60B2
0
10
40
70
100
130
160
380
100
50
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
F
M
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
Cies
Coes
APT80GP60B2
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.00791
0.0475
0.0656
0.00354F
0.0307F
0.361F
Power
(watts)
Junction
temp (
°
C)
RC MODEL
Case temperature(
°
C)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
f
max
=
min(f
max1
,
f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+
t
r
+
t
d(off)
+
t
f
P
diss
P
cond
E
on2
+
E
off
T
J
T
C
R
Θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT80GP60JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30S POWER MOS 7 IGBT
APT8DQ60K3CT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3CTG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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