參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60B2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： APT80GP60B2
0
APT80GP60B2
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
70
V
CE
= 400V
R
=
5
L = 100 μH
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
140
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
E
on2
40A
E
off
80A
E
on2
80A
E
on2
120A
E
off
120A
E
off
40A
E
on2
40A
E
off
80A
E
on2
80A
E
on2
120A
E
off
120A
E
off
40A
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
S
E
O
,
t
r
R
t
d
,
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
T
J
=125°C, V
GE
=15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
= 25°C, V
GE
=15V
V
CE
= 400V
T
J
=
25°C
,
T
J
=125°C
R
= 5
L = 100 μH
10
30
V
CE
= 400V
R
=
5
L = 100 μH
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
60
50
40
30
20
10
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
V
CE
= 400V
R
=
5
L = 100 μH
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
4000
3000
2000
1000
0
4000
3000
2000
1000
0
V
CE
= 400V
R
=
5
L = 100 μH
V
CE
= 400V
R
=
5
L = 100 μH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT80GP60JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30S POWER MOS 7 IGBT
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APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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