參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GN60LDQ3G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 443K
代理商： APT75GN60LDQ3G
0
APT75GN60LDQ3(G)
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
37.5A
75A
150A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
140
120
100
80
60
40
20
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
600
500
400
300
200
100
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
150A
37.5A
75A
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
150A
75A
37.5A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120B2 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75GP120B2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120B2G 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*