參數(shù)資料
型號： APT75GN60LDQ3G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 443K
代理商： APT75GN60LDQ3G
0
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7,000
1,000
500
100
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
C
oes
C
res
C
ies
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
J
,
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.5
0.1
0.05
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
0.0998
0.181
0.00438
0.153
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°
C)
Case temperature. (
°
C)
10
30
50
70
90
110
130
F
M
,
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 1.0
100
50
10
5
1
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120B2 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
APT75GT120JR Thunderbolt IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
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