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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT65GP60L2DQ2G |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 453K |
| 代理商： | APT65GP60L2DQ2G |
0
APT65GP60L2DQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10,000
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
5000
1,000
500
100
50
10
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10
30
50
70
90
110
130
F
M
,
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
187
100
50
10
C
ies
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
C
res
C
0es
0.0683
0.0822
0.0217
0.256
RC MODEL
Case temperature(
°
C)
Junction
temp (
°
C)
Power
(watts)
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PDF描述 |
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