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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT65GP60L2DQ2G |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | APT65GP60L2DQ2G |
0
APT65GP60L2DQ2
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
=
400V
R
=
5
L = 100 μH
E
O
,
t
r
R
t
d
,
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
= 5
L = 100 μH
5
25
160
140
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
5
25
45
65
85
105
125
145
10
25
45
65
85
105
125 145
5
25
45
65
85
105
145
165
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
35
30
25
20
15
10
5
0
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
10000
8000
6000
4000
2000
0
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
E
on2,
130A
E
off,
130A
E
on2,
65A
E
off,
65A
E
on2,
32.5A
E
off
,
32.5A
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
on2,
130A
E
off,
130A
E
on2,
65A
E
off,
65A
E
on2,
32.5A
E
off
,
32.5A
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