參數(shù)資料
型號(hào)： APT65GP60JDQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 470K
代理商： APT65GP60JDQ2
0
APT65GP60JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 99°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 65A
I
F
= 130A
I
F
= 65A, T
J
= 125°C
Forward Voltage
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.3
2.9
1.4
APT65GP60JDQ2
30
42
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
21
-
105
-
115
-
3
-
-
125
-
465
-
7
-
-
60
-
830
-
23
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 30A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 25
°
C
I
F
= 30A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 30A, di
F
/dt = -1000A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/
μ
s, V
R
= 30V, T
J
= 25
°
C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
0.9
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
0.320
°
C/W
0.515
°
C/W
0.375
°
C/W
0.00278 J/
°
C
0.0421 J/
°
C
0.242 J/
°
C
Power
(watts)
Junction
(
°
C)
RC MODEL
Case temperature
(
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60J POWER MOS 7 IGBT
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APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
APT75DQ100B ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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