參數(shù)資料
型號(hào)： APT60M80L2VFR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS V FREDFET
中文描述： 功率MOS V FREDFET
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： APT60M80L2VFR
0
Typical Performance Curves
APT60M80L2VFR
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VD250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
VGS=10V
VGS=20V
15 &10V
6.5V
4.5V
4V
5V
5.5V
6V
R
D
(
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
0.0456
0.104
0.0272F
0.493F
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°
C)
Case temperature. (
°
C)
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ I
D
= 32.5A
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
1.4
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
200
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
1.2
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
2.5
I
D
= 32.5A
V
GS
= 10V
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
70
60
50
40
30
20
10
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT60M80L2VR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT60N60BCS Super Junction MOSFET
APT60N60BCSG Super Junction MOSFET
APT60N60SCS Super Junction MOSFET
APT60N60SCSG Super Junction MOSFET
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APT60M90BFN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 63A I(D)
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