參數(shù)資料
型號(hào)： APT6040BN
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： APT6040BN
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°C)
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOLTAGE
BV
DSS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
050-6007
Rev
B
APT6040/6045BN
DS
D
DS
V
> I (ON) x R
(ON)MAX.
230
SEC. PULSE TEST
T
J
= -55
°C
T
J
= +25
°C
T
J
= +125
°C
T
J
= +125
°C
T
J
= +25
°C
T
J
= -55
°C
V
GS
=20V
V
GS
=10V
4.5V
4V
5V
5.5V
6V
V
GS
=10V
4V
4.5V
5V
5.5V
V
GS
=6V
0
50
100
150
200
2 5 0
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
0
10
0
10
20
30
40
50
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
2
4
6
8
20
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.5
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
4
8
12
16
20
5
0
10
15
APT6045BN
APT6040BN
2
4
6
8
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
T
J
= 25
°C
2
SEC. PULSE TEST
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6040SVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6040BVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6040SVRG 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6041CLL 14 A, 600 V, 0.41 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
APT6045BVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
APT6040BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6040BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6040BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
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