參數(shù)資料
型號(hào)： APT6040BN
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 50K
代理商： APT6040BN
MIN
TYP
MAX
310
APT6040BN
72
APT6045BN
68
MIN
TYP
MAX
APT6040BN
18
APT6045BN
17
APT6040BN
72
APT6045BN
68
1.3
334
668
510
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25
°C
R
G
= 1.8
MIN
TYP
MAX
2400
2950
436
610
154
230
87
130
11
16
46
69
14
28
23
46
63
95
23
46
UNIT
pF
nC
ns
APT6040/6045BN
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Characteristic / Test Conditions / Part Number
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current 1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage 2 (V
GS
= 0V, I
S
= -I
D
[Cont.])
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D
[Cont.], dl
S
/dt = 100A/
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D
[Cont.], dl
S
/dt = 100A/
s)
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
UNIT
Amps
Volts
ns
C
Test Conditions / Part Number
V
DS
= 0.4 V
DSS
, I
DS
= P
D
/ 0.4 V
DSS
, t = 1 Sec.
I
DS
= I
D
[Cont.], V
DS
= P
D
/ I
D
[Cont.], t = 1 Sec.
Symbol
SOA1
SOA2
I
LM
Characteristic
Safe Operating Area
Inductive Current Clamped
UNIT
Watts
Amps
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance Curve. (Fig.1)
2 Pulse Test: Pulse width < 380
S, Duty Cycle < 2%
3 See MIL-STD-750 Method 3471
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
050-6007
Rev
B
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(
°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT6040SVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6040BVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6040SVRG 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6041CLL 14 A, 600 V, 0.41 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
APT6045BVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
APT6040BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6040BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6040BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
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