參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： APT50GP60JDF2
050-7437
Rev
C
4-2003
APT50GP60JDF2
TJ = 125°C
VR = 400V
15A
30A
60A
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
30A
60A
15A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
TJ = 125°C
VR = 400V
trr
Qrr
trr
IRRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
.3
1
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
TJ = 125°C
VR = 400V
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP90JDF2 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT60BG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60B 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60S 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT60SG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT50GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GP60LDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 150A TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60SG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube
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