參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商： APT50GP60JDF2
050-7437
Rev
C
4-2003
APT50GP60JDF2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
90%
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
t
f
90%
10%
t
d(off)
Switching Energy
T
J = 125
C
Collector Current
Collector Voltage
Switching Energy
5 %
10%
Gate Voltage
10%
td(on)
5%
tr
90%
T
J = 125 C
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
IC
A
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP90JDF2 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT60BG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60B 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60S 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT60SG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT50GP60LDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 150A TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60SG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube
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