參數(shù)資料
型號： APT50GP60B2DF2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： APT50GP60B2DF2
0
APT50GP60B2DF2
T
J
=125°C
V
R
= 400V
15A
30A
60A
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
=150°C
60
50
40
30
20
10
0
C
J
,
K
f
,
(
(
I
F
(
30A
60A
15A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Figure 28. Reverse Recovery Charge
vs.
Current Rate of Change
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
T
J
= 125°C
V
R
=400V
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
.3
1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
10
100 200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
T
J
=125°C
V
R
= 400V
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
Figure 26. Forward Current
vs.
Forward Voltage
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/μs)
Figure 27. Reverse Recovery Time
vs.
Current Rate of Change
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Figure 29. Reverse Recovery Current
vs.
Current Rate of Change
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 31. Maximum Average Forward Current
vs.
CaseTemperature
Figure 30. Dynamic Parameters
vs.
Junction Temperature
Figure 32. Junction Capacitance
vs.
Reverse Voltage
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PDF描述
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