參數(shù)資料
型號： APT50GP60B2DF2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： APT50GP60B2DF2
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT50GP60B2DF2
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 99°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 50A
I
F
= 100A
I
F
= 50A, T
J
= 125°C
Forward Voltage
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.6
3.6
1.9
APT50GP60B2DF2
30
49
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
0.70
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
21
-
62
-
65
-
3
-
-
113
-
411
-
7
-
-
49
-
704
-
22
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 30A, di
F
/dt = -200A/μs
V
R
= 400V, T
C
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt = -200A/μs
V
R
= 400V, T
C
= 125°C
I
F
= 30A, di
F
/dt = -1000A/μs
V
R
= 400V, T
C
= 125°C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/μs, V
R
= 30V, T
J
= 25°C
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
0.9
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.378
°
C/W
0.291
°
C/W
0.00232 J/
°
C
0.110 J/
°
C
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp
(
°
C)
Case temperature
(
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GP60B2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT50GP60B2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
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