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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT50GF60LRD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | APT50GF60LRD |
Symbol
Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc
td(on)
tr
td(off)
tf
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
td(on)
tr
td(off)
tf
Ets
gfe
DYNAMIC CHARACTERISTICS (IGBT)
APT50GF60B2RD/LRD
UNIT
°C/W
oz
gm
MIN
TYP
MAX
0.42
0.66
40
0.22
6.1
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (FRED)
Junction to Ambient
Package Weight
Symbol
RΘJC
RΘJA
WT
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS (IGBT and FRED)
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCC = 0.5VCES
IC = IC2
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VCC = .8VCES
IC = IC2
RG = 10
Inductive Switching (150°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 10
TJ = +150°C
Inductive Switching (25°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 10
TJ = +25°C
VCE = 20V, IC = IC2
MIN
TYP
MAX
2600
3600
475
710
165
250
170
225
25
45
100
140
20
100
160
200
30
50
90
135
290
435
170
340
2.2
2.4
4.6
30
90
260
100
4.3
6
UNIT
pF
nC
ns
mJ
ns
mJ
S
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-off Switching Energy
Total Switching Losses 4
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses 4
Forward Transconductance
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
See MIL-STD-750 Method 3471
3
Switching losses include the FRED and IGBT.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
052-6253
Rev
B
6-2002
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GN60B | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60B | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GN60BG | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GP60JDF2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90JDF2 | 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT50GL60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT50GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT50GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GN120L2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
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