參數(shù)資料
型號： APT50GF60B2RD
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的快速IGBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁數(shù)： 4/7頁
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代理商： APT50GF60B2RD
0
EUROPE
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APT50GF60B2RD/LRD
PRELIMINARY
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter: t
p
= 80 μs, T
j
= 25 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter: t
p
= 80 μs, T
j
= 125 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f (V
CE
) , T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= ± 15 V, t
sc
≤
10 μs, L < 50 nH
0
100
200
300
400
500
600
V
V
CE
800
0
2
4
6
10
I
Csc
/I
C(90°C)
I
/I
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
) , T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= 15 V
0
100
200
300
400
500
600
V
V
CE
800
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
/I
C
I
Cpulse
/I
C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GF60BR Thin Film RF/Microwave Capacitor; Capacitance:3.3pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.1 pF; Working Voltage, DC:50V; Package/Case:0603; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:125 C; Operating Temp. Min:-55 C
APT50GF60HR The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF60LRD Thin Film RF/Microwave Capacitor; Capacitance:3.9pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.1 pF; Working Voltage, DC:50V; Package/Case:0603; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:125 C; Operating Temp. Min:-55 C
APT6015JVFR POWER MOS V FREDFET
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