參數(shù)資料
型號： APT50GF120JRD
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 114K
代理商： APT50GF120JRD
APT50GF120JRD
052-6257
Rev
B
7-2002
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(VOLTS)
diF /dt,CURRENTSLEWRATE(AMPERES/SEC)
Figure 2, Forward Voltage Drop vs Forward Current
Figure 3, Reverse Recovery Charge vs Current Slew Rate
diF /dt,CURRENTSLEWRATE(AMPERES/SEC)
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Figure 4, Reverse Recovery Current vs Current Slew Rate
Figure 5, Dynamic Parameters vs Junction Temperature
diF /dt,CURRENTSLEWRATE(AMPERES/SEC)
Figure 6, Reverse Recovery Time vs Current Slew Rate
Figure 7, Forward Recovery Voltage/Time vs Current Slew Rate
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8, Junction Capacitance vs Reverse Voltage
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
I F
,FORWARD
CURRENT
(pico-FARADS)
(nano-SECONDS)
(AMPERES)
t fr
,FORWARD
RECOVERY
TIME
K
f,
DYNAMIC
PARAMETERS
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
(nano-SECONDS)
(NORMALIZED)
(nano-COULOMBS)
V
fr
,FORWARD
RECOVERY
VOLTAGE
(VOLTS)
200
160
120
80
40
0
60
45
30
15
0
300
240
180
120
60
0
2000
1000
500
100
50
TJ = 100°C
VR = 650V
TJ = 100°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
trr
IRRM
Qrr
trr
120A
60A
30A
120A
60A
30A
120A
30A
60A
tfr
0
1
2
3
4
5
10
50
100
500
1000
0
200
400
600
800
1000
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
200
5000
4000
3000
2000
1000
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
1500
1250
1000
750
500
250
0
Vfr
30
25
20
15
10
5
0
TJ = 100°C
VR = 650V
IF =60A
TJ = 100°C
VR = 650V
TJ = 100°C
VR = 650V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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APT50GN60B 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GN60B 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT50GF60B2RD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF60BR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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