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參數(shù)資料
| 型號： | APT5040CNR |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| 中文描述： | ? -通道增強型高壓功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | APT5040CNR |
I
D
I
D
I
D
V
G
I
D
R
D
(
R
D
(
B
D
V
(
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
4.5V
5V
5.5V
T
J
= 25
°
C
2
μ
SEC. PULSE TEST
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
VGS=10V
VGS=20V
TJ = +125
°
C
TJ = +25
°
C
TJ = -55
°
C
TJ = -55
°
C
TJ = +125
°
C
TJ = +25
°
C
VD230
μ
SEC. PULSE TEST
5.5V
5V
4.5V
4V
6V
VGS=10V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
20
16
12
8
4
0
16
12
8
4
0
16
12
8
4
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
4V
VGS=6V
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
APT5040CNR
0
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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