參數(shù)資料
型號： APT33GF120B2RD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TMAX-3
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 113K
代理商： APT33GF120B2RD
APT33GF120B2RD/LRD
052-6254
Rev
C
3-2003
T-MAXTM (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50
(.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector
(Cathode)
Collector
(Cathode)
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APT33GF120LRD 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT4020SVFR 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT4020SVFRG 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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