參數(shù)資料
型號(hào)： APT12GT60BR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 393K
代理商： APT12GT60BR
052-6208
Rev
E
12-2005
APT12GT60BR(G)
APT15DQ60
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-247 Package Outline
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT12GT60BRG 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT12GT60BR 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120BSC 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT14050JVFR 23 A, 1400 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT14050JVFR 23 A, 1400 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT12M80S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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