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參數(shù)資料
| 型號： | AP9563GM |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | AP9563GM |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9563GM
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
-
G
I
D
= -6A
V
DS
= -32V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
=125
o
C/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9563H | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9563J | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9564GM | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575GI | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575H | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9563GM-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9563H | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9563J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9563M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9564 | 功能描述:電源排插 Rack PDU Basic 1U 20A 120V RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護(hù):N 電線長度:15 ft 安裝風(fēng)格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A |
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