參數(shù)資料
型號(hào)： AP3402GEH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： 38 A, 35 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： AP3402GEH
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
AP3402GEH/J
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=25V
I
D
=25A
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
C
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
V
DS
=5V
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Pulse Width (s)
0.01
0.1
1
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP3402GEJ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3403GH P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3403GJ P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP3403J P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP3403H P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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