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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AON7403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | AON7403 |
AON7403
-
+
VDC
Ig
Vds
DUT
-
+
VDC
Vgs
10V
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Vgs
Vds
10%
90%
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
ttr
d(on)
ton
t
d(off)
t f
toff
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
-
+
VDC
L
Vgs
Vds
Id
Vgs
BV
I
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vds
Vgs
Vds
Isd
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Vds -
Vds +
I F
AR
DSS
2
E = 1/2 LI
dI/dt
I RM
rr
Vdd
Q = - Idt
AR
trr
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP-454.5 | 410 MHz - 512 MHz MOBILE STATION ANTENNA |
| AP-868U | MOBILE STATION ANTENNA |
| AP0103GMT-HF | 140 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01L60AT | 160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| AP0203GMT-HF | 38 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AON7403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AON7403L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AON7403L_001 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AON7404 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AON7405 | 功能描述:MOSF P CH 30V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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