參數(shù)資料
型號(hào)： AON7403
廠(chǎng)商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： AON7403
AON7403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
VDS=VGS ID=1mA
1.4
1.8
50
800
140
220
80
140
0.5
15
7
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V
GS
(V
o
lts)
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Capaci
tance
(pF)
Ciss
0
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
Po
w
e
r(
W
)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance(Note F)
Z
θJA
Norm
al
iz
ed
Transi
ent
Therm
al
Resi
stance
Coss
Crss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.1
1
10
100
-VDS (Volts)
-I
D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
s
10ms
10s
DC
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
RDS(ON)
limited
1ms
VDS=-15V
ID=-8A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=75°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
10
s
100m
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP-454.5 410 MHz - 512 MHz MOBILE STATION ANTENNA
AP-868U MOBILE STATION ANTENNA
AP0103GMT-HF 140 A, 40 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP01L60AT 160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
AP0203GMT-HF 38 A, 30 V, 0.0022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON7403_11 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AON7403L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AON7403L_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AON7404 功能描述:MOSFET N-CH 20V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7405 功能描述:MOSF P CH 30V 50A DFN3.3X3.3EP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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