參數(shù)資料
型號(hào)： AO4822
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： AO4822
AO4822
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
10
100
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
I A
R
(A
)
P
e
a
k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
Time in avalanche, t
A (s)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note
C)
T
A=25°C
T
A=150°C
T
A=100°C
T
A=125°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
I D
(A
m
p
s
)
V
DS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
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s
10ms
0
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V
G
S
(V
o
lt
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Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
200
400
600
800
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C
a
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V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
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rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
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I A
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Time in avalanche, t
A (s)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note
C)
T
A=25°C
T
A=150°C
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A=100°C
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A=125°C
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P
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(W
)
Pulse Width (s)
Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note F)
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
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I D
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DS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10s
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DC
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limited
T
J(Max)=150°C
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A=25°C
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Rev 5: Mar 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4932 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO6402A 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO6402AL 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOD452 55 A, 25 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOD480 25 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AO4822_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-channel MOSFET
AO4822A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4822A_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-channel MOSFET
AO4822AL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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