參數(shù)資料
型號(hào)： AO4401
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 55C 55#22D SKT RECP
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 359K
代理商： AO4401
θ
E
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aaa
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E1
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A
A1
A2
SYMBOLS
0.050 BSC
0.50
1.27
0.10
8°
0.10
5.00
4.00
6.20
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0.25
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0.25
0.40
0°
1.27 BSC
0.19
4.80
3.80
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0.016
0°
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0.007
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0.150
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0.050
0.004
8°
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0.157
0.061
0.004
0.020
DIMENSIONS IN INCHES
MIN
NOM
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
NOM
MAX
MAX
SO-8 Package Data
NOTE:
1. LEAD FINISH: 150 MICROINCHES ( 3.8 um) MIN.
THICKNESS OF Tin/Lead (SOLDER) PLATED ON LEAD
2. TOLERANCE ±0.100 mm (4 mil) UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED
3. COPLANARITY : 0.1000 mm
4. DIMENSION L IS MEASURED IN GAGE PLANE
RECOMMENDED LAND PATTERN
PACKAGE MARKING DESCRIPTION
NOTE:
LG - AOS LOGO
PARTN - PART NUMBER CODE.
F - FAB LOCATION
A - ASSEMBLY LOCATION
Y - YEAR CODE
W - WEEK CODE.
L N - ASSEMBLY LOT CODE
SO-8 PART NO. CODE
PART NO.
AO4400
AO4401
CODE
4400
4401
4800
4801
CODE
AO4800
AO4801
PART NO.
4700
4701
CODE
AO4700
AO4701
PART NO.
UNIT: mm
ALPHA & OMEGA
SEMICONDUCTOR, INC.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4403 LJT 8C 8#16 SKT RECP
AO4404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4404AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4404B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4404 Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4402 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4403 功能描述:MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4403_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4403L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 6.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4404 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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