參數(shù)資料
型號： AO3407
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 12C 8#20 4#16 PIN RECP
中文描述： 的P -溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： AO3407
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
65
85
43
Max
90
125
60
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±20
-4.1
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-3.5
-20
1.4
1
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO3407
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Aug 2002
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -4.1 A
R
DS(ON)
< 52m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 87m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AO3407 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
with
low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
S
G
D
TO-236
(SOT-23)
Top View
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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