參數(shù)資料
型號(hào)： AO3414
廠(chǎng)商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： AO3414
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
70
100
63
Max
90
125
80
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
4.2
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
20
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
3.2
15
1.4
0.9
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO3414
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 4.2 A (V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 50m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 63m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 87m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO3414 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AO3414 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3414L
is a Green Product ordering option. AO3414 and
AO3414L are electrically identical.
G
D
S
S
G
D
TO-236
(SOT-23)
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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