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參數(shù)資料
| 型號： | AM45DL3208GB85IS |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 57/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1196K |
| 代理商： | AM45DL3208GB85IS |
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March 12, 2004
Am45DL3208G
55
P R E L I M I N A R Y
Pseudo SRAM AC CHARACTERISTICS
Power Up Time
When powering up the SRAM, maintain V
CC
s for 100 μs minimum with CE#1s at V
IH
.
Read Cycle
Notes:
1. CE1#s = OE# = V
IL
, CE2s = WE# = V
IH
, UB#s and/or LB#s = V
IL
2. Do not access device with cycle timing shorter than t
RC
for continuous periods < 10 μs.
Figure 29.
Pseudo SRAM Read Cycle—Address Controlled
Parameter
Symbol
Description
Speed
Unit
70
85
t
RC
Read Cycle Time
Min
70
85
ns
t
AA
Address Access Time
Max
70
85
ns
t
CO1
, t
CO2
Chip Enable to Output
Max
70
85
ns
t
OE
Output Enable Access Time
Max
35
40
ns
t
BA
LB#s, UB#s to Access Time
Max
70
85
ns
t
LZ1
, t
LZ2
Chip Enable (CE1#s Low and CE2s High) to Low-Z
Output
Min
10
ns
t
BLZ
UB#, LB# Enable to Low-Z Output
Min
10
ns
t
OLZ
Output Enable to Low-Z Output
Min
5
ns
t
HZ1
, t
HZ2
Chip Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
BHZ
UB#s, LB#s Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
OHZ
Output Disable to High-Z Output
Max
25
ns
t
OH
Min
10
ns
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
t
AA
t
RC
t
OH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM45DL3208GB85IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM45DL3208GT70IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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