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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV002BB-120ED |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256畝× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商： | AM29LV002BB-120ED |
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28
Am29LV002B
21520D5 October11,2006
D AT A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-55R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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