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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29F002B-55EE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-CDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 2兆位（256畝× 8位）的CMOS 5.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 792K |
| 代理商： | AM29F002B-55EE |
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32
Am29F002B/Am29F002NB
November 28, 2000
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
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