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參數(shù)資料
| 型號： | AM29DL323DT120 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個M × 8位/ 2米x 16位），3.0伏的CMOS只，同時作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 36/54頁 |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | AM29DL323DT120 |
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June 10, 2003
Am29DL322D/323D/324D
35
TEST CONDITIONS
Table 16.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 11.
Test Setup
Test Condition
70R, 90
120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 12.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DL322D | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL322DB120 | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| AM29DL322DB70R | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29DL323DT-120WDI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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| AM29DL323DT-90WDIT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:32M (4MX8/2MX16) 3V, SIMUL R/W, TOP, FBGA63, IND, T&R - Tape and Reel 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:AMD 功能描述: |
| AM29DL323GB120WDI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 63-Pin FBGA |
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