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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDS643GT7GVAI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 9.20 X 8 MM, 0.50 MM PITCH, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 42/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | AM29BDS643GT7GVAI |
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40
Am29BDS643G
25692A2 May 8, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. V
PP
can be left high for subsequent programming pulses.
2. Use setup and hold times from conventional program operation.
Figure 15.
Accelerated Unlock Bypass Programming Timing
CE#
AVD#
WE#
A16:A21
A/DQ0:
A/DQ15
CE#
V
PP
Don't Care
Don't Care
A0h
PA
PA
PD
V
ID
1
μ
s
V
IL
or V
IH
t
VPP
t
VPS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29BDS643GT7KVAI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB-120R | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB120RZE | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB120RZF | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB120RZI | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29BL802CB-65RZET | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29C01WW WAF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C10API | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| AM29C10AWW DIE | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C116-1JC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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