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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG719SRJZ-EP-RL7 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH MONOLITHIC CMOS SPDT |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 功能： | 開(kāi)關(guān) |
| 電路： | 1 x SPDT - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 4 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 1nA |
| 工作溫度： | -55°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-6 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
ADG719-EP
Rev. 0 | Page 9 of
12
TEST CIRCUITS
IDS
V1
SD
VS
RON = V1/IDS
08
84
2-
0
14
Figure 13. On Resistance
SD
A
IS (OFF)
ID (OFF)
VS
VD
08
842-
015
Figure 14. Off Leakage
SD
A
ID (ON)
VS
VD
0
8842
-0
16
Figure 15. On Leakage
0.1F
VDD
IN
SD
GND
RL
300
CL
35pF
VOUT
VS
VIN
50%
90%
tON
tOFF
0
884
2-
0
17
Figure 16. Switching Times
IN
S1
D
GND
S2
D2
VIN
VOUT
0V
0.1F
VDD
RL2
300
CL2
35pF
VOUT
VS1
VS2
VIN
50%
tD
08
84
2-
0
18
Figure 17. Break-Before-Make Time Delay, tD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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