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參數(shù)資料
| 型號： | A43P26161G-95 |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個銀行的低功耗同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/44頁 |
| 文件大小： | 1122K |
| 代理商： | A43P26161G-95 |
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A43P26161
PRELIMINARY (July, 2005, Version 1.1)
29
AMIC Technology, Corp.
Read & Write Cycle with Auto Precharge @Burst Length=4
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BS1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(D-Bank)
: Don't care
RAa
RBb
A10/AP
CAa
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank/CL=2)
RAa
WE
QAa2
QAa1
QAa0
QAa3
DDb0
Auto Precharge
Start Point
(D-Bank)
DQM
CBb
QAa3
QAa2
QAa0
QAa1
DDb0
DDb1
DDb2
DDb3
DQ
(CL=2)
DDb1
DDb2
DDb3
DQ
(CL=3)
Write with
Auto Precharge
(D-Bank)
RBb
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
BS0
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank/CL=3)
*Note : tRCD should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start.
(In the case of Burst Length=1 & 2, BRSW mode)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43P26161G-95F | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95U | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95UF | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161V | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161V-75 | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43P26161G-95F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95U | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161V | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161V-75 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
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