參數(shù)資料
型號： A43L8316V-7
廠商： AMIC Technology Corporation
英文描述： 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 128K的× 16位× 2銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 28/45頁
文件大小： 1395K
代理商： A43L8316V-7
A43L8316
Preliminary (April, 2000, Version 1.0)
27
AMIC Technology, Inc.
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
* Note : 1.
CS
can be don’t care when
RAS
,
CAS
and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read ad the precharge banks must be the same.
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
: Don't care
RAa
CAa
A8/AP
CBb
Read
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
*Note 1
*Note 2
RBb
CAc
CBd
CAe
RAa
RBb
WE
DQM
QBb1
QBb0
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QBb1
QBb0
QAa0 QAa1
QAa2
QAa3
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DQ
(CL=2)
DQ
(CL=3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
A43L8316V-8 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM
A43P26161 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
A43P26161G-75 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
A43P26161V-95F 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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