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參數(shù)資料
| 型號： | A43L2616V-7V |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 25/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | A43L2616V-7V |
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Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
A43L2616
(September, 2004, Version 3.1)
24
AMIC Technology, Corp.
High
t
RC
t
RCD
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BS0
WE
DQM
DQ
(CL = 2)
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
*Note 1
*Note 2
Ra
Ca0
Rb
Cb0
Ra
Rb
A10/AP
Qa0
t
OH
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
t
RAC
*Note 3
t
SAC
t
SHZ
*Note 4
Qa0
t
OH
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
t
RAC
t
SAC
*Note 3
t
SHZ
*Note 4
t
RDL
Write
(A-Bank)
DQ
(CL = 3)
BS1
t
RDL
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS latency-1] valid output data available after Row
enters precharge. Last valid output will be Hi-Z after t
SHZ
from the clock.
3. Access time from Row address. t
CC
*(t
RCD
+ CAS latency-1) + t
SAC
4. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1,2,4 & 8)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43L2616V-7VF | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632 | 1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632V-6 | 1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632V-7 | 1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L3616 | 2M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43L2616V-7VF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-95I | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632G-75I | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2632G-95I | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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