Revision 11 2-63 Timing Characteristics Table 2-74 RAM4K9 Commercial-Case Conditions: T<" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN125-2VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 90/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-63
Timing Characteristics
Table 2-74 RAM4K9
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std. Units
tAS
Address Setup time
0.25
0.28
0.33
ns
tAH
Address Hold time
0.00
ns
tENS
REN, WEN Setup time
0.14
0.16
0.19
ns
tENH
REN, WEN Hold time
0.10
0.11
0.13
ns
tBKS
BLK Setup time
0.23
0.27
0.31
ns
tBKH
BLK Hold time
0.02
ns
tDS
Input data (DIN) Setup time
0.18
0.21
0.25
ns
tDH
Input data (DIN) Hold time
0.00
ns
tCKQ1
Clock High to New Data Valid on DOUT (output retained, WMODE = 0)
1.79
2.03
2.39
ns
Clock High to New Data Valid on DOUT (flow-through, WMODE = 1)
2.36
2.68
3.15
ns
tCKQ2
Clock High to New Data Valid on DOUT (pipelined)
0.89
1.02
1.20
ns
tC2CWWL1 Address collision clk-to-clk delay for reliable write after write on same
address; applicable to closing edge
0.33
0.28
0.25
ns
tC2CWWH1 Address collision clk-to-clk delay for reliable write after write on same
address; applicable to rising edge
0.30
0.26
0.23
ns
tC2CRWH1 Address collision clk-to-clk delay for reliable read access after write on same
address; applicable to opening edge
0.45
0.38
0.34
ns
tC2CWRH1 Address collision clk-to-clk delay for reliable write access after read on same
address; applicable to opening edge
0.49
0.42
0.37
ns
tRSTBQ
RESET Low to Data Out Low on DOUT (flow through)
0.92
1.05
1.23
ns
RESET Low to Data Out Low on DOUT (pipelined)
0.92
1.05
1.23
ns
tREMRSTB
RESET Removal
0.29
0.33
0.38
ns
tRECRSTB
RESET Recovery
1.50
1.71
2.01
ns
tMPWRSTB RESET Minimum Pulse Width
0.21
0.24
0.29
ns
tCYC
Clock Cycle time
3.23
3.68
4.32
ns
FMAX
Maximum Frequency
310
272
231
MHz
Notes:
1. For more information, refer to the application note Simultaneous Read-Write Operations in Dual-Port SRAM for Flash-
2. For specific junction temperature and voltage-supply levels, refer to Table 3-6 on page 3-4 for derating values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AGLN060V2-ZVQG100I IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
AGL060V2-VQ100I IC FPGA 1KB FLASH 60K 100-VQFP
AGL060V2-VQG100I IC FPGA 1KB FLASH 60K 100-VQFP
AGLN060V2-ZVQ100I IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
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A3PN125-VQG100 功能描述:IC FPGA NANO 1024MAC 100VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:XP LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):10000 RAM 位總計(jì):221184 輸入/輸出數(shù):244 門數(shù):- 電源電壓:1.71 V ~ 3.465 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:388-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:388-FPBGA（23x23） 其它名稱:220-1241
A3PN125-VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
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