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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 7MBR35UA120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE (U series) 1200V / 35A / PIM |
| 中文描述： | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | 7MBR35UA120 |
IGBT Module
7MBR35UA120
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
[ Brake ]
[ Brake ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=25A, Tj= 25°C
[ Brake ]
[ Brake ]
[ Brake ]
[ Brake ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=30A
Ic=15A
Ic=7.5A
0.1
1.0
10.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
30
60
90
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBR50SA-060 | Power Integrated Module (PIM) |
| 7MBR50NF060 | 600V/50A/PIM |
| 7MBR50SA060 | IGBT(600V/50A/PIM) |
| 7MBR50SB060 | IGBT(600V/50A/PIM) |
| 7MBR50SB120 | IGBT(1200V/50A/PIM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 7MBR35UA-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
| 7MBR35UA-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT 7 PACK MOD 1200V 35A M711 |
| 7MBR35UB120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (U series) 1200V / 35A / PIM |
| 7MBR35VM120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 7MBR35VP120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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