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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI150U4B-170 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | 6MBI150U4B-170 |
H04-004-03a
MS5F6305
13
9
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=900V
，
Ic=150A
，
Tj= 25°C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C / chip
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
Ic=300A
Ic=150A
Ic=75A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
Gate charge : Qg [nC]
C
G
VGE
VCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI15F-060 | IGBT(600V15A) |
| 6MBI15F-120 | IGBT(1200V 15A) |
| 6MBI15GS-060 | IGBT (600V 15A) |
| 6MBI15L-120 | IGBT MODULE(1200V 15A) |
| 6MBI15S-120 | IGBT MODULE ( S series)1200V / 15A |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI150UB-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
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| 6MBI150VB-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI150VX-060-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI150VX-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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