參數(shù)資料
型號： 6MBI100U4B-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大?。?/td> 479K
代理商： 6MBI100U4B-120
H04-004-03a
MS5F6012
13
9
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=100A, Tj=25
o
C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
o
C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
0
2
4
6
8
10
5
10
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
15
20
25
Ic=50A
Ic=100A
Ic=200A
C
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
Coes
Cres
0
200
400
600
Gate charge : Qg [ nC ]
C
G
VGE
VCE
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI100U4B-170 IGBT MODULE
6MBI10S-120L IGBT MODULE(1200V 6x10A)
6MBI150U4B-120 IGBT MODULE
6MBI150U4B-170 IGBT MODULE
6MBI15F-060 IGBT(600V15A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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6MBI100U4B-170 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE
6MBI100UB120 制造商:FUJITSU 功能描述:_
6MBI100UB-120 制造商:FUJITSU 功能描述:_
6MBI100UC-120 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:1200V / 100A 6 in one-package
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