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參數(shù)資料
| 型號： | 6CUT04FN |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | 6CUT04FN |
Document Number: 94650
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 10-Dec-08
3
6CUT04, 6CWT04FN
High Performance
Schottky Generation 5.0, 2 x 3 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
Forward Voltage Drop-V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F
(A)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 175°C
Reverse
Current
-I
R
(mA)
Reverse Voltage-V
R (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
75°C
100°C
50°C
125°C
150°C
175°C
25°C
Reverse Voltage-V
R (V)
Junction
Capacitance
-C
T
(pF)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10
100
1000
t1,RectangularPulseDuration(Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.2
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.5
D = 0.75
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PDF描述 |
|---|---|
| 6CWT04FNTR | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
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| 6CUT10-E | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AA |
| 6CWT10FNTR-E | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 6CWT10FNTRL-E | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
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參數(shù)描述 |
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