參數(shù)資料
型號： 50GD120DN2
英文描述： Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： 50GD120DN2
5
Oct-20-1997
BSM 50 GD 120 DN2
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
T
j
= 25 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Typ. output characteristics
I
C
= f (V
CE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
T
j
= 125 °C
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
Typ. transfer characteristics
I
C
= f (V
GE
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
V
CE
= 20 V
0
2
4
6
8
10
V
V
GE
14
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
50GD120DN2G IGBT Module
50P827 Analog IC
50PI1 Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits
50PI10 Analog IC
50PI11 Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits
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參數(shù)描述
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