參數(shù)資料
型號： 50GD120DN2
英文描述： Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： 50GD120DN2
2
Oct-20-1997
BSM 50 GD 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
GE
=
V
CE,
I
C
= 2 mA
Collector-emitter saturation voltage
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 125 °C
Zero gate voltage collector current
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-emitter leakage current
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
V
GE(th)
4.5
5.5
6.5
V
V
CE(sat)
-
-
3.1
2.5
3.7
3
I
CES
-
-
4
0.8
-
1
mA
I
GES
-
-
200
nA
AC Characteristics
Transconductance
V
CE
= 20 V,
I
C
= 50 A
Input capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
Reverse transfer capacitance
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1 MHz
g
fs
23
-
-
S
C
iss
-
3300
-
pF
C
oss
-
500
-
C
rss
-
220
-
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PDF描述
50GD120DN2G IGBT Module
50P827 Analog IC
50PI1 Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits
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