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參數資料
| 型號： | 4AC14 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 4AC14 |
4AC14
4
10
100
1,000
10,000
Collector current IC (A)
DC
current
transfer
ratio
h
FE
0.1
0.3
VCE = 3 V
1.0
3.0
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
Ta
= 75
°C
–25
°C
25
°C
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Collector current IC (A)
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE
(sat)
(V)
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
lC = 500 lB
Ta = –25
°C
25
°C
75
°C
Collector current IC (A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE
(sat)
(V)
0.1
0.3
1.0
3.0
10
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
25
°C
75
°C
lC = 500 lB
Ta = –25
°C
Base to emitter voltage VBE (V)
Collector
current
I
C
(A)
0
Typical Transfer Characteristics
VCE = 3 V
25
°C
75
°C
Ta = –25
°C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
2
3
4
5
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PDF描述 |
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參數描述 |
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