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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK309 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 砷化鎵?頻道雙柵場效應(yīng)晶體管超高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 3SK309 |
3SK309
6
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
–2
–3
–4
–5
–10
.6
.4
.2
0
–.2
–.4
–.6
–.8
–1
–1.5
.2
.4
.6 .8 1
2
3 4 5
1.5
10
S11 Parameter vs. Frequency
V
DS
= 3 V , V
G2S
= 0 V
I
D
= 5 mA , Z
o
= 50
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Test Condtion:
Scale: 1 / div.
60
°
0
°
30
°
90
°
120
°
150
°
180
°
–150
°
–90
°
V
DS
= 3 V , V
G2S
= 0 V
I
D
= 5 mA , Z
o
= 50
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
–60
°
–30
°
–120
°
S21 Parameter vs. Frequency
Test Condtion:
Scale: 0.01 / div.
60
°
0
°
30
°
90
°
120
°
150
°
180
°
–150
°
–90
°
–60
°
–30
°
–120
°
S12 Parameter vs. Frequency
V
DS
= 3 V , V
G2S
= 0 V
I
D
= 5 mA , Z
o
= 50
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Test Condtion:
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
–2
–3
–4
–5
–10
.6
.4
.2
0
–.2
–.4
–.6
–.8
–1
–1.5
.2
.4
.6 .8 1
2
3 4 5
1.5
10
S22 Parameter vs. Frequency
V
DS
= 3 V , V
G2S
= 0 V
I
D
= 5 mA , Z
o
= 50
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Test Condtion:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK317 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK319 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK317 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK317ZR(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 3SK317ZR-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK318YB(TL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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